Характеристики:

Наименование прибора: FQPF20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 61 nC

Время нарастания (tr): 125 ns

Выходная емкость (Cd): 273 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.37 Ohm

Тип корпуса: TO220F