Характеристики:

Найменування приладу: FQPF20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярність: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 50 W

Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 600 V

Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 30 V

Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4.5 V

Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 20 A

Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C

Загальний заряд затвора (Qg): 61 nC

Час зростання (tr): 125 ns

Вихідна ємність (Cd): 273 pf

Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.37 Ohm

Тип корпусу: TO220F